Samsung представила чипы памяти UFS 2.1 на 1 ТБ для смартфонов

Samsung представила чипы памяти UFS 2.1 на 1 ТБ для смартфонов

Компания Samsung заявила о старте массового выпуска встраиваемого чипа eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) для мобильных устройств, ёмкость которого составляет 1 терабайт. Этот факт сам по себе любопытен. Но есть и кое-что ещё, новинку получит топовая версия будущего флагмана Galaxy S10+.

Samsung представила чипы памяти UFS 2.1 на 1 ТБ для смартфонов
×

В производстве встраиваемого флэш-накопителя UFS 2.1 объёмом 1 ТБ используется 16 слоев 5-гигабитной флэш-памяти V-NAND. Дисковое пространство — это примерно 20 аналогов с объёмом в 64 ГБ. Места в смартфоне новинка будет занимать ровно столько же, сколько прошлогодние модули на 512 ГБ, их габариты составляют 11.5х13 мм. С такими встраиваемыми флэш-накопителями надобность в microSD-картах попросту отпадает.

Samsung представила чипы памяти UFS 2.1 на 1 ТБ для смартфонов

Более того, терабайтная новинка от Samsung может похвастаться невероятной скоростью: 260 МБ/с при записи и 1000 МБ/с при чтении. Как заверяет производитель, это вдвое быстрее, чем у 2.5-дюймового SATA SSD. eUFS позволит камере смартфона записывать видео на скорости в 960 кадров в секунду.

Samsung представила чипы памяти UFS 2.1 на 1 ТБ для смартфонов


По слухам, самый топовый Galaxy S10+ с ценником 1600 евро получит не только внутреннюю память eUFS 2.1 на 1 ТБ, но и оперативную на 12 ТБ, а также 6.4-дюймовый Super AMOLED-дисплей с разрешением 1440х3040 пикселей и топовый процессор Exynos 9820/Snapdragon 855 (зависит от региона продаж смартфона). Официальная презентация состоится 20 февраля.

Samsung представила чипы памяти UFS 2.1 на 1 ТБ для смартфонов


Источник: “https://24gadget.ru/1161068133-samsung-predstavila-chipy-pamyati-ufs-21-na-1-tb-dlya-smartfonov.html”